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半導体レーザ素子及び半導体光源装置

文献类型:专利

作者加藤 隆志
发表日期2009-03-05
专利号JP2009049083A
著作权人SUMITOMO ELECTRIC IND LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子及び半導体光源装置
英文摘要【課題】 スペクトル幅の狭いレーザ光を出力可能な半導体レーザ素子及び半導体光源装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子11Aは、回折格子17による反射によってレーザ発振を生じせしめる半導体レーザ光源部13Aと、半導体レーザ光源部13Aの一端に光学的に結合されており、回折格子17の周期によって決まる半導体レーザ光源部13Aの発振波長の光を選択的に通過させる波長フィルタ部15と、半導体レーザ光源部13A及び波長フィルタ部15を設ける基板Sとを備える。この半導体レーザ素子11Aでは、波長フィルタ部15はリング状導波路31,33を有する。また、半導体レーザ素子11Aでは、半導体レーザ光源部13Aから出力された光を、波長フィルタ部15を通過させることで、リング状導波路31,33の共振波長によりフィルタリングを施すことになるので、スペクトル幅の狭いレーザ光を出力することが可能である。 【選択図】図1
公开日期2009-03-05
申请日期2007-08-15
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64414]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SUMITOMO ELECTRIC IND LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
加藤 隆志. 半導体レーザ素子及び半導体光源装置. JP2009049083A. 2009-03-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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