半導体レーザ素子及び半導体光源装置
文献类型:专利
作者 | 加藤 隆志 |
发表日期 | 2009-03-05 |
专利号 | JP2009049083A |
著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子及び半導体光源装置 |
英文摘要 | 【課題】 スペクトル幅の狭いレーザ光を出力可能な半導体レーザ素子及び半導体光源装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子11Aは、回折格子17による反射によってレーザ発振を生じせしめる半導体レーザ光源部13Aと、半導体レーザ光源部13Aの一端に光学的に結合されており、回折格子17の周期によって決まる半導体レーザ光源部13Aの発振波長の光を選択的に通過させる波長フィルタ部15と、半導体レーザ光源部13A及び波長フィルタ部15を設ける基板Sとを備える。この半導体レーザ素子11Aでは、波長フィルタ部15はリング状導波路31,33を有する。また、半導体レーザ素子11Aでは、半導体レーザ光源部13Aから出力された光を、波長フィルタ部15を通過させることで、リング状導波路31,33の共振波長によりフィルタリングを施すことになるので、スペクトル幅の狭いレーザ光を出力することが可能である。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2009-03-05 |
申请日期 | 2007-08-15 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64414] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体レーザ素子及び半導体光源装置. JP2009049083A. 2009-03-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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