AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 真佐知; 今野 泰一郎; 金田 直樹; 柴田 憲治 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP2001007445A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ |
| 英文摘要 | 【課題】 発光出力及び信頼性が高いAlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 【解決手段】 n型導電性を有する基板1上に、少なくともAlGaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層3と、n型クラッド層3よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系化合物半導体からなる活性層4と、活性層4よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型クラッド層5と、電流拡散層6を積層した構造において、p型クラッド層5a、5bの中か、あるいは電流拡散層6とp型クラッド層5との間に、p型クラッド層5よりもAl濃度の低い挿入層7を挿入して、活性層4への不純物の拡散を防止することにより発光素子の出力低下を防止する。 |
| 公开日期 | 2001-01-12 |
| 申请日期 | 1999-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64415]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 真佐知,今野 泰一郎,金田 直樹,等. AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ. JP2001007445A. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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