半導体レーザの製造方法及びその構造
文献类型：专利
| 作者 | 久 義浩 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068605A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法及びその構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な素子分離特性を有し、高集積化に適した素子分離構造を備えた半導体レーザを提供する。 【解決手段】 ダミー活性層とイオン注入とを組み合わせることにより、比較的浅くイオンを注入するだけで高抵抗領域の形成が可能となり、分離溝を形成することなく素子分離を行うことができる。特に、ダミー活性層上のクラッド層がn型の場合には、一旦、p型領域に反転させた後にプロトンイオンを注入することにより、高抵抗化が可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64422]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久 義浩. 半導体レーザの製造方法及びその構造. JP2000068605A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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