リッジ導波路型半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄; 粕川 秋彦; 池上 嘉一; 行谷 武 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997307184A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | リッジ導波路型半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 非常に高い光出力まで、光出力/注入電流特性が線形関係を維持するリッジ導波路型半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させたリッジ導波路型本半導体レーザダイオードであル。本ダイオードは、活性層22〜26に対して垂直方向の近視野像の強度が1/e2 であるスポットサイズの幅をWとするとき、Dが、0.5×W≦Dを満足するような残り厚さを活性層全面に積層されたクラッド層28〜34を有する。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64449]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄,粕川 秋彦,池上 嘉一,等. リッジ導波路型半導体レーザダイオード. JP1997307184A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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