3族窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 史郎; 永井 誠二; 小池 正好; 赤崎 勇; 天野 浩 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129925A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】3族窒化物半導体を用いた素子を高性能化し製造速度を向上させる。 【解決手段】基板1と基板1上に形成されたバッファ層2とそのバッファ層2上に形成された3族窒化物半導体から成る基底層3とその基底層3上に形成された3族窒化物半導体から成る素子層4,5,61,62とを有する半導体素子10において、基底層3を有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により形成し、素子層4,5,61,62を分子線エピタキー法(MBE) により形成した。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64474]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 史郎,永井 誠二,小池 正好,等. 3族窒化物半導体素子. JP1997129925A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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