ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド
文献类型：专利
| 作者 | 中野 義昭; 丸山 剛; 梁 吉鎬; 小川 芳宏 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244009A |
| 著作权人 | スタンレー電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】従来のス-パ-ルミネッセントダイオ-ドは、コンタクト層と上部クラッド層をストライプ状に形成しているため、屈折率導波型となりやすくSLDとしての高出力化には適さない。 【解決手段】コンタクト層6だけをストライプとして形成し、ストライプ幅L1、長さL2、コンタクト層と上部クラッド層5界面から活性層4までの厚さL3、活性層の幅L4を規定している。また、ストライプは、光放出面と垂直方向に対し傾斜角ζを有し、傾斜角を、10°以下で規定したり、光放出端面と該光放出端面と反対側の端面には、それぞれ発光波長領域における反射率が5%以下の膜を形成している。この様に、コンタクト層のみを傾斜型ストライプとして形成しており、高注入領域においても利得導波型として、単一横モ-ドが保持できSLDとして高出力化が可能となった。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64476]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | スタンレー電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 義昭,丸山 剛,梁 吉鎬,et al. ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド. JP2000244009A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。