垂直共振器型面発光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小林 康宏; 知野 豊治; 松田 賢一 |
| 发表日期 | 1995-10-31 |
| 专利号 | JP1995288362A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振器型面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 p型ミラーを底部に備えた低抵抗な面発光半導体レーザを提供する。 【構成】 面発光半導体レーザは210は、上面212を有するp型下部ミラー102と、その上面全体を覆って形成されたp型スペーサ層103と、p型下部ミラー102の上面212よりも小さな底面を備えた活性層を含み、p型スペーサ層上に形成された活性領域104と、活性領域上に形成されたn型スペーサ層と、n型上部ミラーとを備えている。p型スペーサ層103、活性領域104、及びn型スペーサ層105のそれぞれの厚さ方向の光路長の合計dが活性領域から発振する光の波長λに対して、d=(1+n)·λ/2(n:自然数)の関係を満たしている。 |
| 公开日期 | 1995-10-31 |
| 申请日期 | 1995-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64479]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 康宏,知野 豊治,松田 賢一. 垂直共振器型面発光半導体レーザ. JP1995288362A. 1995-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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