半導体デバイス及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 山内 義則; 後藤 修; 八重樫 浩樹 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045999A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リーク電流がなく、活性層に効率よく電流を流すことができ、且つ素子容量を小さくできる半導体デバイスを得、高速変調動作の向上を図る。 【解決手段】 InP基板31上に第一導電型のクラッド層33、活性層35を順次設ける。活性層35上にリッジストライプ状の第二導電型のクラッド層37を設ける。ストライプ状の高抵抗 InP層41を、リッジの両側で InP基板31に至る深さで埋設して設ける。リッジの両側及び高抵抗 InP層41を絶縁膜43で覆う。電極45を第二導電型のクラッド層37に形成する。この電極45と連設されるワイヤボンディング用の電極46を、高抵抗 InP層41の上に絶縁膜43を介して配設する。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64492]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,山内 義則,後藤 修,等. 半導体デバイス及びその製造方法. JP1997045999A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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