レーザダイオードの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 吉孝; 加藤 久弥; 渥美 欣也 |
| 发表日期 | 1999-02-12 |
| 专利号 | JP1999040881A |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】台座の上に搭載部品を半田接合する際にこの搭載部品の割れ等の不具合を解消することができるレーザダイオードの製造方法を提供する。 【解決手段】レーザダイオードチップ22は、オキサイドストライプ形のヘテロ接合を有し、n-GaAs基板2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、活性層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9等からなる。レーザダイオードチップ22の下に、1mΩ以上の抵抗値を有するサブマウント(n-GaAs基板)14が配置されている。サブマウント14は台座27上に接合されている。製造の際は、接合面31にAuメッキ層17を形成した台座27を用意するとともに、接合面30に2.0μm以上の厚さを有するAu-Sn膜25を形成したサブマウント14を用意し、台座27の上にサブマウント14を半田接合する。 |
| 公开日期 | 1999-02-12 |
| 申请日期 | 1997-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64495]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 吉孝,加藤 久弥,渥美 欣也. レーザダイオードの製造方法. JP1999040881A. 1999-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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