半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム
文献类型：专利
| 作者 | 篠田 和典; 宮崎 勝; 魚見 和久; 佐藤 宏 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303179A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム |
| 英文摘要 | 【課題】半導体光素子の、特に逆メサ形状を有する半導体導波路構造のドライエッチング技術による製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板に段差を形成する半導体光素子の製造方法において、陰極電極と同電位の金属材料マスクパターンを用いたドライエッチングを行う。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64496]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 篠田 和典,宮崎 勝,魚見 和久,等. 半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム. JP1998303179A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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