面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法
文献类型：专利
| 作者 | 内山 誠治 |
| 发表日期 | 1998-01-27 |
| 专利号 | JP1998027941A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 オーミック接触抵抗が低い電極を備え、発振しきい値電流が小さく、横モードが安定している面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザは、n-InP基板21上に形成されたn-InPからなる第1クラッド層23、GaInAsPからなる活性層24及びp-InPからなる第2クラッド層27の2重ヘテロ結合の埋め込み構造を有する。電極領域では、キャップ層が、p-GaInAsPからなる第1キャップ層11と、第1キャップ層上に形成され、第1キャップ層よりバンドギャップが狭く、不純物濃度が高いp-GaInAsPからなる第2キャップ層12との2層構造で構成され、更に第2キャップ層上に金属電極13が形成されている。共振器領域では、キャップ層が第1キャップ層のみで構成され、更に第1キャップ層上に、順次、透明電極14及び誘電体多層膜反射鏡15が、一部金属電極13に重なり、電気的に接続しているように形成されている。 |
| 公开日期 | 1998-01-27 |
| 申请日期 | 1996-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内山 誠治. 面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法. JP1998027941A. 1998-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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