窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 茂樹; 宮嶋 孝夫; 冨岡 聡; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243253A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 良質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に層状物質からなる層を分子線エピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる。基板としてはGaAs基板やSi基板などを用い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダングリングボンドを終端させておく。層状物質としては、MoS2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母などを用いる。この窒化物系III-V族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオード、FETなどを製造する。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 茂樹,宮嶋 孝夫,冨岡 聡,等. 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法. JP1999243253A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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