量子細線の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内 山 潔; 井 戸 田 健; 高 森 晃; 中 島 眞 人 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283812A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子細線の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光半導体レーザ等に使用されるAlGaInP系の結晶において、GaAs基板上にこの系からなる量子細線をエッチングにより作製する。 【構成】 GaAs(001)基板10上に、(Alx Ga1-x )y In1-yP(0x'Ga1-x')y'In1-y'P(0z In1-zP(z〜0.5)エピ層14を形成した単一または多重量子井戸構造を備え、初めにエピ層14の上にレジスト層15を形成し、これを露光現象除去処理してマスクを作り、次にエピ層14を方向にストライプ状にエッチング除去した後、残ったエピ層14マスクとして硫酸または硫酸と水からなるエッチング液によってウェル層12およびバリア層11,13をストライプ状に除去する。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1992-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内 山 潔,井 戸 田 健,高 森 晃,等. 量子細線の製造方法. JP1993283812A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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