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半導体装置およびその製造方法ならびに実装基板

文献类型:专利

作者堀越 浩
发表日期2009-03-19
专利号JP2009058888A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体装置およびその製造方法ならびに実装基板
英文摘要【課題】簡易な構造で光路の方向変更をすることの可能な導波路を提供する。 【解決手段】LSIチップ10の表面上にクラッド層21が形成されている。このクラッド層21の表面上にはコア層22が延在して形成されており、コア層22の両端面S1には、表面全体に凸状の曲面S3を有する光路変更部23が形成されている。コア層22および光路変更部23はクラッド層21の屈折率よりも大きな屈折率を有している。これにより、LSIチップ10内の発光素子15から射出された光を光路変更部23の曲面S3でコア層22に向けて反射したり、コア層22の内部を伝播してきた光を光路変更部23の曲面S3でLSIチップ10内の受光素子16に向けて反射することが可能となる。 【選択図】図2
公开日期2009-03-19
申请日期2007-09-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64533]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
堀越 浩. 半導体装置およびその製造方法ならびに実装基板. JP2009058888A. 2009-03-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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