半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉井 重雄; 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 西川 孝司; 宮永 良子 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163406A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低動作電圧で且つ電気的特性が良好な半導体素子を実現できるコンタクト層を再現性良く得られるようにする。 【解決手段】 n型GaAsからなる基板31上には、n型Zn0.9Mg0.1S0.13Se0.87からなるn型クラッド層34、n型ZnS0.06Se0.94からなるn型光ガイド層35、ZnCdSeからなる活性層36及びp型ZnS0.06Se0.94からなるp型光ガイド層37が順次形成されている。p型光ガイド層37の上方には、p型コンタクト構造43が形成されている。p型コンタクト構造43は、p型ZnS0.31Se0.54Te0.15からなる第1層41A、ZnS0.47Se0.28Te0.25からなる第2層41B、p型ZnS0.65Te0.35からなる第3層42A、p型ZnS0.5Te0.5からなる第4層42B及びp型ZnTeからなる第5層42Cを有している。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1998-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64545]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉井 重雄,佐々井 洋一,上山 智,等. 半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法. JP1999163406A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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