AlGaInAs系多重量子井戸を有する半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 清水 均; 西片 一昭; 福島 徹; 入川 理徳 |
| 发表日期 | 1996-07-02 |
| 专利号 | JP1996172241A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaInAs系多重量子井戸を有する半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸を発光層とし、発光帯域が3〜65μmである半導体発光素子の微分利得を向上する改良である。 【構成】 量子井戸層とAlInAsまたはAlGaInAsまたはAlGaInAsPよりなるバリヤ層とよりなる多重量子井戸を発光層とする半導体発光素子において、量子井戸層のそれぞれの厚さは6nm以下であり、量子井戸層の厚さの積算値は13〜1000nmである半導体発光素子である。 |
| 公开日期 | 1996-07-02 |
| 申请日期 | 1994-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64559]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 均,西片 一昭,福島 徹,等. AlGaInAs系多重量子井戸を有する半導体発光素子. JP1996172241A. 1996-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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