レーザダイオード素子
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司 |
| 发表日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP1997129970A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザダイオード素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 伝送速度数百Mb/s以上、伝送距離数十Km以上の長距離高速光通信システム用の光源としてレーザダイオード素子を構成する場合、広い温度範囲(-40〜+85℃)で良好な光出力特性ならびに変調特性を得ることが困難になる。 【解決手段】 3μm帯λ/4シフト分布帰還型のレーザダイオードにおいて、InGaAsP歪多重量子井戸からなる活性層を有し、共振器長300〜600μm、かつ、室温での離調量-15〜+15nmで、量子井戸数8〜15層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が3〜10%となるように素子を構成する。 |
| 公开日期 | 1997-05-16 |
| 申请日期 | 1995-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64565]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司. レーザダイオード素子. JP1997129970A. 1997-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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