半導体発光素子および光電子集積回路
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 玉田 仁志 |
| 发表日期 | 1998-10-27 |
| 专利号 | JP1998290044A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および光電子集積回路 |
| 英文摘要 | 【課題】 端面に窓を有する共振器を半導体基板を劈開することなく実現することができ、窓の表面モフォロジーが良好な半導体発光素子およびそのような半導体発光素子を有する光電子集積回路を提供する。 【解決手段】 (100)面方位のn型GaAs基板1上に順次積層されたn型AlX1Ga1-X1Asクラッド層2、AlX2Ga1-X2As活性層3およびp型AlX1Ga1-X1Asクラッド層4を、[011]方向に共振器長を有する共振器の形状にパターニングし、共振器の端面7にAlX3Ga1-X3As層8からなる窓を設ける。共振器の端面7は微小な凹凸を有し、端面7に設けられたAlX3Ga1-X3As層8からなる窓の面は安定な{110}ファセット面8aからなる。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64569]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,玉田 仁志. 半導体発光素子および光電子集積回路. JP1998290044A. 1998-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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