半導体光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 石川 卓哉; 柳川 久治 |
| 发表日期 | 1993-06-25 |
| 专利号 | JP1993160522A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 複数の波長光を一度に増幅することのできる半導体光増幅素子を提供することにある。 【構成】 活性領域4と、活性領域4を挟持するクラッド層3,5とが半導体基板2上に設けられた半導体光増幅素子1において、活性領域4は障壁層で隔てられたバンドギャップの異なる少なくとも2種類の半導体層により形成され、且つ活性領域4には半導体層の積層面に対して水平方向に電流が注入されることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-06-25 |
| 申请日期 | 1991-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 卓哉,柳川 久治. 半導体光増幅素子. JP1993160522A. 1993-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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