外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 水谷 健二; 佐藤 健二; 須藤 信也 |
| 发表日期 | 2010-01-21 |
| 专利号 | JP2010016032A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】斜め導波路を有するSOAを備え、かつ、小型の外部共振器型レーザモジュールを提供すること。 【解決手段】本発明の一態様は、半導体光増幅器103と、半導体光増幅器103の第1の光出射端面S1側に配置された第1のレンズ101と、半導体光増幅器103の第2の光出射端面S2側に配置された第2のレンズ102と、半導体光増幅器103を介して第2のレンズ102と対向して配置された外部ミラー106とを備え、半導体光増幅器103の光導波路は、第1の光出射端面S1と垂直に交差し、第2の光出射端面S2と垂直から傾斜して交差し、第1のレンズ101の光軸C1と第2のレンズ102の光軸C2とが平行であることを特徴とする外部共振器型レーザモジュールである。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64601]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水谷 健二,佐藤 健二,須藤 信也. 外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法. JP2010016032A. 2010-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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