窓型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323789A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窓型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】窓領域·活性領域間の横モード結合損失および窓領域·活性領域接合部の散乱損失が極めて低く抑えられた窓型半導体レーザを実現することを目的とする。 【解決手段】活性層(3)とクラッド層(2,7)並びにコンタクト層11等で構成され、共振器両端の活性層(3)が途切れた段差に、クラッド層(2,7)よりも低屈折率で、かつ高抵抗な埋め込み窓層(5)が埋め込まれている窓型半導体レーザにおいて、活性層(3)の残る段差の上底面と埋め込み窓層5の表面が0.1μm以下の精度で同一平面をなしており、その上部に電流ブロック層(9,10)により横モード制御構造が形成されていることを特徴とする。また、埋め込み窓層(5)を埋め込む工程において、塩酸添加の有機金属気相成長法を用い、塩酸/III族比を調整して段差斜面の横方向にのみ選択的に結晶成長させる手法を用いることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64612]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫. 窓型半導体レーザおよびその製造方法. JP2000323789A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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