半導体の高キャリア密度化法
文献类型：专利
| 作者 | 蟹江 智彦 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335983A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体の高キャリア密度化法 |
| 英文摘要 | 【目的】 青色レーザの発光素子に適用するのに十分となるまで、半導体を高キャリア密度化する方法を提供する。 【構成】 不純物がドーピングされた半導体6にシンクロトロン放射光7を照射することにより、不純物を活性化することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蟹江 智彦. 半導体の高キャリア密度化法. JP1995335983A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。