化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 憲治 |
| 发表日期 | 1999-01-06 |
| 专利号 | JP1999004044A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザダイオードや発光ダイオードに適用した場合に、しきい値電流密度を従来に比べ低下させ発振寿命を向上させる。 【解決手段】従来と特徴的に異なることは、p型AlGaAsクラッド層5Aを成長する際に、炭素を添加するための原料として臭化炭素CBr4 を使用していることである。p型AlGaAsクラッド層5Aの不純物濃度は、標準的なp型AlGaAsクラッド層での不純物濃度である2×1018cm-3とした。レーザダイオードを製造する際に必要になる数層エピタキシャル層をこのエピタキシャルウエハ上に成長させた後に、深さ方向組成分布をSIMS分析によって調べた結果、p型ドーパントである炭素の隣接層への混入はほとんど起こらなかった。これによって、後のエピタキシャル成長の際に、熱によるp型AlGaAsクラッド層5Aのドーパントの拡散が起こりにくくなった。 |
| 公开日期 | 1999-01-06 |
| 申请日期 | 1997-06-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64643]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 憲治. 化合物半導体エピタキシャルウエハおよびその製造方法. JP1999004044A. 1999-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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