分布帰還型半導体レーザおよび半導体レーザアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 厚; 岡井 誠 |
| 发表日期 | 1996-02-06 |
| 专利号 | JP1996037342A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよび半導体レーザアレイ |
| 英文摘要 | 【目的】 アナログ通信用DFBレーザの低歪歩留まりの向上および後方出力に対する前方出力の均一性の向上。 【構成】 誘導放出光(レーザ光33)を発生する活性層9と、周期的な利得の攝動を生じさせる回折格子32(吸収型回折格子35)を有する利得結合型の分布帰還型半導体レーザである。半導体レーザ(半導体レーザチップ)の前方光を出射する前方端面は劈開面となり、反射率は32%となっている。また、後方光を出射する後方端面には反射率が90%となる高反射膜が形成されている。また、規格化結合係数κLの利得結合成分κgLを0.5とし、屈折率結合成分κiLの絶対値を0.3以下とさせる。 【効果】 利得結合型DFBレーザにおける低歪歩留まりの向上(60%程度)および後方出力に対する前方出力の均一性の向上が達成できた。 |
| 公开日期 | 1996-02-06 |
| 申请日期 | 1994-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64645]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 厚,岡井 誠. 分布帰還型半導体レーザおよび半導体レーザアレイ. JP1996037342A. 1996-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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