化合物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦 |
| 发表日期 | 1998-02-24 |
| 专利号 | JP1998056206A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 歩留まり及び信頼性の向上を図ることができ、さらに、量産性の優れた化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層5と、半導体層5の少なくとも一部の上部に形成された透光性の第1の電極7と、第1の電極7の上部に形成された誘電体膜15とからなる電極部を少なくとも具備するように構成される。 |
| 公开日期 | 1998-02-24 |
| 申请日期 | 1997-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64659]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦. 化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP1998056206A. 1998-02-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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