光半導体結晶およびこれを用いた半導体素子ならびに光半導体結晶の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小笠原 松幸; 杉浦 英雄; 満原 学 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP2000031604A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体結晶およびこれを用いた半導体素子ならびに光半導体結晶の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光半導体結晶およびこれを用いて製造される光半導体素子の発光波長の温度依存性をなくす手段を提供する。 【解決手段】n型InP(100)基板10上に、発光波長が3μmの組成をもつInGaAsP光閉じ込め層20、結晶の持つ非混和性により組成分離した発光波長5μmの組成をもつInGaAsP活性層30、発光波長が3μmの組成をもつInGaAsP光閉じ込め層40、p型InPクラッド層50、および、p型InGaAs電極層60をこの順に積層して構成される。 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 申请日期 | 1998-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小笠原 松幸,杉浦 英雄,満原 学. 光半導体結晶およびこれを用いた半導体素子ならびに光半導体結晶の製造方法. JP2000031604A. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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