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半導体光導波路およびその作製方法

文献类型:专利

作者岡本 稔; 深野 秀樹; 東盛 裕一
发表日期1997-03-07
专利号JP1997061652A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光導波路およびその作製方法
英文摘要【課題】 レンズ系を用いずに結合効率を向上させることができる半導体光導波路およびその作製方法を提供すること。 【解決手段】 テーパ光導波路1がバットジョイント部2を介してMQW活性層3と接合している。光導波路1は層厚とバンドギャップ波長を連続的に変化させた光導波路である。MQW活性層3は歪み超格子活性層である。この光導波路1はスポットサイズ変換領域4を構成し、MQW活性層3は活性領域5を構成している。6はクラッド、キャップ、電極等の素子化に必要な構造部分の全体を示す。この活性領域5で発生された光がバットジョイント部2でこれに接合しているスポットサイズ変換領域4に伝搬され、この領域でスポットサイズが変換されて光出射端1aから他の光素子や光ファイバへ出射される。このテーパ光導波路の作製にはテーパ状選択マスクを使用する。
公开日期1997-03-07
申请日期1995-08-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64666]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
岡本 稔,深野 秀樹,東盛 裕一. 半導体光導波路およびその作製方法. JP1997061652A. 1997-03-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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