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位相シフト回折格子の作製方法

文献类型:专利

作者中西 正浩
发表日期1998-04-24
专利号JP1998107388A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名位相シフト回折格子の作製方法
英文摘要【課題】 位相シフト回折格子の位相シフト部左右での回折格子形状の制御性の向上である。 【解決手段】 半導体基板11上に組成が異なり選択エッチング可能な第2の半導体層21を積層する。この上にレジスト31を塗布して、レジスト回折格子パターンを形成し、これをマスクとして第2の半導体層21をエッチングして、この層21の回折格子パターンを作る。半分の領域は第2の半導体層21の回折格子パターンをマスクとして基板11をエッチングし、もう半分の領域は第2の半導体層21の回折格子の凹部をレジスト32で埋め、このレジスト32をマスクにして第2の半導体層21、基板11を順次選択エッチングする。最後に全体のレジスト32、33と第2の半導体層21を除去して、基板11上に位相シフト回折格子gを形成する。
公开日期1998-04-24
申请日期1996-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64676]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中西 正浩. 位相シフト回折格子の作製方法. JP1998107388A. 1998-04-24.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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