位相シフト回折格子の作製方法
文献类型:专利
作者 | 中西 正浩 |
发表日期 | 1998-04-24 |
专利号 | JP1998107388A |
著作权人 | キヤノン株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 位相シフト回折格子の作製方法 |
英文摘要 | 【課題】 位相シフト回折格子の位相シフト部左右での回折格子形状の制御性の向上である。 【解決手段】 半導体基板11上に組成が異なり選択エッチング可能な第2の半導体層21を積層する。この上にレジスト31を塗布して、レジスト回折格子パターンを形成し、これをマスクとして第2の半導体層21をエッチングして、この層21の回折格子パターンを作る。半分の領域は第2の半導体層21の回折格子パターンをマスクとして基板11をエッチングし、もう半分の領域は第2の半導体層21の回折格子の凹部をレジスト32で埋め、このレジスト32をマスクにして第2の半導体層21、基板11を順次選択エッチングする。最後に全体のレジスト32、33と第2の半導体層21を除去して、基板11上に位相シフト回折格子gを形成する。 |
公开日期 | 1998-04-24 |
申请日期 | 1996-09-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64676] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | キヤノン株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 正浩. 位相シフト回折格子の作製方法. JP1998107388A. 1998-04-24. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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