面発光レーザアレイの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内山 誠治 |
| 发表日期 | 2000-05-16 |
| 专利号 | JP2000138414A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザアレイの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 生産性に優れ、特性のばらつきのない電流狭窄層及び絶縁層を有する面発光レーザアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板2上に、第1の含Al化合物半導体層20、n型コンタクト層4、反射鏡層構造6と14、クラッド層8と12、活性層10、第2の含Al化合物半導体層22、p型コンタクト層16を積層し、コンタクト層16から下層に向かって、反射鏡層構造6とコンタクト層4の界面またはコンタクト層4の表層に至る第1のメサAを形成し、第2の含Al化合物半導体層22をその側端から芯部に向かって酸化させ該芯部に未酸化層が残存した電流狭窄層22aを形成する。コンタクト層4から下層に向かって、第1の含Al化合物半導体層20と基板2の界面または基板2の表層に至る第2のメサBを形成し、第1の含Al化合物半導体層20を酸化させて絶縁層20aに転化する。 |
| 公开日期 | 2000-05-16 |
| 申请日期 | 1998-11-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64679]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内山 誠治. 面発光レーザアレイの製造方法. JP2000138414A. 2000-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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