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半導体装置の製造方法及び半導体基板

文献类型:专利

作者中村 真嗣; 松井 康; 石野 正人
发表日期1997-04-22
专利号JP1997106936A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体装置の製造方法及び半導体基板
英文摘要【課題】 低コストなパターン作成方法である干渉露光法を用いるにも拘らず、深さ及び形状が均一な回折格子を安定して形成できるようにする【解決手段】 結晶基板10の上に形成されたネガ型レジスト膜11に回折格子状のパターンを焼き付けると共に、ネガ型レジスト膜11における結晶基板10の平坦部形成領域10bと対応する部分にコンタクトフォトマスク13のパターンを焼き付けた後、ネガ型レジスト膜11に対して現像を行なうと、平坦部形成領域10bにおいてはネガ型レジスト膜11が全面に残る一方、回折格子形成領域10aにおいては回折格子状のレジストパターン15が形成される。残存するネガ型レジスト膜11及びレジストパターン15を用いて結晶基板10に対してウェットエッチングを行なうと、回折格子16及び平坦部17が形成され、ネガ型レジスト膜11及びレジストパターン15を除去すると、回折格子16及び平坦部17が露出する。
公开日期1997-04-22
申请日期1995-10-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64680]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中村 真嗣,松井 康,石野 正人. 半導体装置の製造方法及び半導体基板. JP1997106936A. 1997-04-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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