半導体埋め込み層構造
文献类型：专利
| 作者 | ロバート エル.ソーントン; フェルナンド エイ.ポンス |
| 发表日期 | 1994-06-28 |
| 专利号 | JP1994181365A |
| 著作权人 | ゼロックス·コーポレーション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体埋め込み層構造 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 埋め込み層半導体構造におけるIII-V族合成物の、例えばレーザに使用される半導体の製造の際、III 価及びV価の両成分に変化が起こる界面を横切って、不純物誘導層無秩序置換が発生する時に生じる、欠陥及び転位の問題の解決。 【構成】 該構造は基板上の厚い層によって完全に境界付けられる、薄い埋め込み活性層によって特徴付けられる。薄層を臨界厚み以下に維持し、厚い層を基板に格子整合することによって、欠陥の発生を避けることができる。別の特徴として、AlGaInP ベースのレーザ構造における比較的低い熱伝導性の問題は、レーザ構造に含まれるAlGaInP 材料の量を最小限に抑え、これらの材料を臨界活性層のみに制限し、光学ガイディング及びキャリアコンファイニング層の大部分にAlGaAsを使用することによって、避けることができる。 |
| 公开日期 | 1994-06-28 |
| 申请日期 | 1993-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス·コーポレーション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ロバート エル.ソーントン,フェルナンド エイ.ポンス. 半導体埋め込み層構造. JP1994181365A. 1994-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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