半導体光素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 荒川 智志; 石川 卓哉; 小沢 章一 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064461A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製作が容易でかつ結合効率の高い半導体光素子を提供することであり、また半導体光素子の作製方法を提供する【解決手段】 本半導体光素子10は、順次連続して一体的に形成されている活性領域部12と、モード·フィールド変換部14と、導波路部16とから構成されている。活性領域部は、基板18上に、順次形成されたストライプ状活性層20及びストライプ状のクラッド層22の埋め込み構造、更にその上に順次形成されたストライプ状導波層24、上部クラッド層26及びコンタクト層28、埋め込み層として選択成長法により平坦埋め込み成長させた第1電流ブロッキング層30及び第2電流ブロッキング層32を有する。モード·フィールド変換部は、活性層及びクラッド層のストライプ幅が先端に向かって連続的に減少しているテーパ状の平面形状を接合面に平行に有することを除いて、活性領域部12と同じ構造で形成されている。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64698]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒川 智志,石川 卓哉,小沢 章一. 半導体光素子及びその作製方法. JP1997064461A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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