窒化ガリウム系化合物半導体素子のチップ分離の方法
文献类型：专利
| 作者 | 大田 啓之; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222533A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子のチップ分離の方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体から容易な方法でしかも歪を与えずに、光学的に平滑な面を形成して、電気的あるいは光学的な特性に優れた半導体素子のチップに分離する。 【構成】 一般式がAlxGayInzN(但し0≦X≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を結晶成長したへき開性を有していない基板を分離する方法で、光導波路以外の領域に分離溝を形成して基板に応力を加えることで、従来よりも光学的に平滑なチップ分離面が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64700]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大田 啓之,大仲 清司. 窒化ガリウム系化合物半導体素子のチップ分離の方法. JP1996222533A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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