半導体レーザおよびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1999-08-10 |
| 专利号 | JP1999220221A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラッド層と活性層の間に特殊な構造体を作製することにより、活性層への不純物や欠陥の拡散を防止する。 【解決手段】 活性層とクラッド層との間に、不純物無添加の半導体層と不純物添加の半導体層とを積層した構造体を設ける。クラッド層を、不純物無添加の半導体層と不純物添加の半導体層とを積層した構造体にしてもよい。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1991-04-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64702]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,伴 雄三郎,大仲 清司. 半導体レーザおよびその作製方法. JP1999220221A. 1999-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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