半導体素子の製造方法及び半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 章一 |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195356A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法及び半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明の目的は、高品質の半導体素子の製造方法、及び半導体装置を提供することにある。 【構成】 破線部 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1995-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 章一. 半導体素子の製造方法及び半導体装置. JP1996195356A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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