高輝度発光半導体材料の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 博; 中島 理志 |
| 发表日期 | 2000-09-22 |
| 专利号 | JP2000261100A |
| 著作权人 | 科学技術振興事業団 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高輝度発光半導体材料の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 シリサイド·ベースの光グラス·ファイバーで減衰の最も少ない54μmの波長で発光し、温度変化の波長依存性がない半導体レーザや発光素子等の半導体材料を製造すること。 【構成】 MBE法またはMOCVD法で、 III-V 族半導体またはシリコン半導体を母体として希土類金属不純物をドープし、希土類金属不純物のf電子内殻遷移を利用した発光半導体材料を作成する際、ドナーとアクセプターを、結晶成長時に同時にドーピングすることにより、高輝度の発光半導体材料を製造する。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64708]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 科学技術振興事業団 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 博,中島 理志. 高輝度発光半導体材料の作製方法. JP2000261100A. 2000-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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