化合物半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 布上 真也; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186650A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】低しきい値動作が可能な短波長帯化合物半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】レーザ装置の基板上には、n-AlGaNクラッド層11、活性層12、p-AlGaNクラッド層13、p-GaNコンタクト層14、15、p側電極16が順次配設される。p側電極16、p-コンタクト層15、14、p-クラッド層13は、レーザビームの発振方向に沿って延びるリッジ構造10を形成する。p-クラッド層13はリッジ構造10の一部であるリッジ部分13aとリッジ部13aの両側の延在部13bとを有する。リッジ構造10の各側面上には、誘電体であるSiO2からなる被覆層19が配設される。リッジ構造10の全長を覆うようにCr/Au電極層18が配設される。電極層18はp側電極16に接続されると共に延在部13bの露出表面に対して非オーミックコンタクトを形成する。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,布上 真也,石川 正行. 化合物半導体レーザ装置. JP1999186650A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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