半導体レーザ装置、およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 門脇 朋子 |
| 发表日期 | 1994-12-06 |
| 专利号 | JP1994338655A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャップ層を貫通して上クラッド層に至るZn拡散領域を有する半導体レーザ装置において、Zn拡散領域の拡散フロントの位置を制御する。 【構成】 上クラッド層を2層構造とし、キャップ層6に近い側の層5をZn拡散速度の速い(Al)GaInPとし、活性層3に近い側の層4をZn拡散速度の遅いAlGaAsとし、かつ上記AlGaAs層4の厚みはZn拡散領域8の底と活性層3との距離の所望値hに等しくする。Zn拡散工程において、Zn拡散領域8がキャップ層6を貫通して、(Al)GaInP上クラッド層5中を進んでいってAlGaAs層4に到達すると、その時点で拡散速度が格段に遅くなるので、拡散が自動的に停止する。 【効果】 Zn拡散領域を制御性良く形成でき、歩留りが向上する。 |
| 公开日期 | 1994-12-06 |
| 申请日期 | 1993-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 門脇 朋子. 半導体レーザ装置、およびその製造方法. JP1994338655A. 1994-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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