窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256657A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子、および、高い光出力が得られる発光ダイオード素子を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体からなるクラッド層4、9及び/又はガイド層5、28に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体の量子井戸構造活性層を形成する。量子井戸構造活性層は2層の量子井戸層14、14とこれらに挟まれた1層の障壁層15の合計3層から形成される。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64729]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置. JP1998256657A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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