半導体レーザ素子とその製造方法及びその製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 林 茂生; 大川 和宏; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1996-04-02 |
| 专利号 | JP1996088442A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法及びその製造装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 p型基板上に形成されたII-VI 族半導体レーザの上部n型クラッド層中にNaの拡散により電荷補償された層を持つ電流ブロック構造を具備することにより、p型基板上のII-VI 族化合物半導体レーザに、より少ない工程数で電流狭窄構造を形成し、なおかつ狭窄の効率を上げる。 【構成】 In電極11の下部に厚さが10nmのNa2 Se層が存在し、ストライプ状に幅が100 μmの部分が無い。Naがn型Zn0.9 Mg0.1 S0.2 Se0.8 層中に拡散して高抵抗となっている層(電流ブロック層)13、Naが拡散していないn型Zn0.9 Mg0.1 S0.2 Se0.8 クラッド層14(電流狭窄部の幅は約10μm)、i型Zn0.8 Cd0.2 S0.4 Se0.6 活性層15、p型Zn0.9 Mg0.1 S0.2Se0.8 クラッド層16、p+型GaAs基17板、金属電極18である。 |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 申请日期 | 1994-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64744]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 茂生,大川 和宏,三露 常男. 半導体レーザ素子とその製造方法及びその製造装置. JP1996088442A. 1996-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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