光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 久 義浩 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354883A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光変調器部の高速応答が可能でかつ安価に製造できしかも強度が安定した光を出力することができる光変調器付半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 N型の化合物半導体基板上に、半導体レーザダイオードと光変調器とが分離領域を挟んで形成され、半導体レーザダイオード、光変調器及び分離領域が活性層及びP型クラッド層を共有し、かつ活性層及びP型クラッド層の両側にはInP系の半導体からなるブロック層が形成された光変調器付半導体レーザダイオードであって、分離領域のブロック層は、少なくともP型不純物とH+又はHeがドープされて高抵抗化されている。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久 義浩. 光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法. JP1999354883A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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