化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡野 展賢; 成井 啓修; 田口 歩; 植野 紀子 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330616A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Inを含む化合物半導体層をInを含まない化合物半導体層で挟んだ積層構造を形成する場合に、良好な結晶性を有する化合物半導体層を、複雑な成長過程を用いることなく容易に形成することができる化合物半導体層の成長方法およびそのような化合物半導体層の成長方法を用いることで、特性の良好な半導体レーザなどを製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 AlGaInAs歪み活性層を有するSCH構造のAlGaAs系半導体レーザの製造方法において、n型GaAs基板1上に、MOCVD法により、730℃以上830℃以下の一定の成長温度、例えば795℃で、n型AlGaAsクラッド層2、n型AlGaAs光導波層3、AlGaInAs歪み活性層4、p型AlGaAs光導波層5、p型AlGaAsクラッド層6、p型GaAsキャップ層7を連続成長させる。AlGaInAs活性層4の成長速度は、毎秒0.5nm以上10nm以下とする。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64765]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡野 展賢,成井 啓修,田口 歩,等. 化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法. JP1999330616A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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