GaN系発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好; 永井 誠二; 山崎 史郎; 平松 敏夫; 赤崎 勇; 天野 浩 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998145004A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光層に注入されたキャリヤに対する閉じ込め効果が高くかつクラックが入り難くしたGaN系発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1と、発光層5と、発光層5を挟むようにして配置された第1のクラッド層3及び第2のクラッド層7と、発光層5と第1及び第2のクラッド層3、7との間に設けられてキャリアの透過を防止するストッパ層4、6とを備えてなる発光素子において、ストッパ層におけるAlの組成とその膜厚、及びクラッド層のAlの組成とその膜厚を適当に調節する。例えば、第2のストッパ層6をAlX2Ga1ーX2N:X2=0.1〜0.5で形成し、かつ厚さを10〜50nmとし、第2のクラッド層7をAlY2Ga1ーY2N:Y2=0〜0.15で形成し、かつその厚さを100〜1000nmとする。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1996-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64768]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,永井 誠二,山崎 史郎,等. GaN系発光素子. JP1998145004A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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