半導体分布帰還型レーザ装置および半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 羅 毅; 土橋 万知夫; 細松 春夫; 多田 邦雄; 中野 義昭 |
| 发表日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP1993343789A |
| 著作权人 | 光計測技術開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置および半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 周期的な光吸収層による光分布帰還を得る構造の半導体分布帰還型レーザ装置において、平均吸収損失をできるだけ小さくしながら十分な分布帰還を得る。 【構成】 周期的な光吸収層を光伝搬領域に沿ったストライプ状の領域の外側に配置する。 |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 申请日期 | 1991-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64770]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光計測技術開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 羅 毅,土橋 万知夫,細松 春夫,等. 半導体分布帰還型レーザ装置および半導体素子の製造方法. JP1993343789A. 1993-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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