半導体受発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 松田 賢一 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199795A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体受発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 面発光レーザと、面発光レーザからの出力光をモニターする受光素子を同一パッケージに実装あるいは同一基板上に集積する。 【解決手段】 GaAsよりなる第2の半導体基板104がp型Siよりなる第1の半導体基板101上に固定されている。第2の半導体基板104上には、p型AlAsとp型GaAsの交互積層多層膜よりなる下部反射器107、InGaAs井戸層がGaAs障壁層に挟まれた構成の活性層108、n型AlAsとn型GaAsの交互積層多層膜よりなる上部反射器109が積層され、面発光レーザ110を構成している。第1の半導体基板101上には、低濃度p型Siよりなるエピ層111とn型不純物を拡散した拡散層112が形成され、受光素子113を構成している。面発光レーザ110から第1の出力光114が出射され、光ファイバ115のコア116に入射する。また、面発光レーザ110から第2の出力光117が出射され、受光素子113に入射する。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64797]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松田 賢一. 半導体受発光装置. JP1997199795A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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