Vapor growth method
文献类型：专利
| 作者 | SATO HIROSUKE; AKAGAWA KEIICHI; KATAOKA TAKASHI |
| 发表日期 | 1992-08-14 |
| 专利号 | JP1992225519A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Vapor growth method |
| 英文摘要 | PURPOSE:To easily control the physical property of a manufactured compound semiconductor. CONSTITUTION:By slowing the crystal growth speed of the InGaP active layer 3 of a manufactured semiconductor laser than the crystal growth speed of an InGaAlP clad layer 2 and a p-InGaAlP clad layer 4, the oscillated peak wavelength can be shortened without changing other crystal growth conditions. |
| 公开日期 | 1992-08-14 |
| 申请日期 | 1990-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64800]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SATO HIROSUKE,AKAGAWA KEIICHI,KATAOKA TAKASHI. Vapor growth method. JP1992225519A. 1992-08-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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