窒化物系半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之; 竹内 邦生; 久納 康光 |
| 发表日期 | 2009-06-04 |
| 专利号 | JP2009123939A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体素子層の厚みの差に起因して半導体素子層にクラックが発生するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体素子100(窒化物系半導体素子)は、共振器の延びる方向に延びるリッジ部(光導波路)24を有する窒化物系半導体からなる半導体素子層20を含む半導体素子部30と、半導体素子層20のリッジ部(光導波路)24近傍を除く領域と対向する領域にリッジ部(光導波路)24の延びる方向に沿って段差部10aが形成され、半導体素子部30に接合されるp型Ge基板10とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-06-04 |
| 申请日期 | 2007-11-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64804]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之,竹内 邦生,久納 康光. 窒化物系半導体素子およびその製造方法. JP2009123939A. 2009-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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