Liquiddphase epitaxial growth method
文献类型：专利
| 作者 | KOBAYASHI TAKESHI; TAKAHASHI SHINICHI; FURUKAWA YOSHITAKA |
| 发表日期 | 1977-03-12 |
| 专利号 | JP1977032669A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Liquiddphase epitaxial growth method |
| 英文摘要 | PURPOSE:To ensure an eptaxial crystal layer growth with no misfitted dislocation by utilizing crystal substrate of under 250 mum depth. |
| 公开日期 | 1977-03-12 |
| 申请日期 | 1975-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64811]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KOBAYASHI TAKESHI,TAKAHASHI SHINICHI,FURUKAWA YOSHITAKA. Liquiddphase epitaxial growth method. JP1977032669A. 1977-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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