多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145549A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器 |
| 英文摘要 | 【課題】 MQW構造の量子効果を保持しつつ、MQW内でのホールキャリア輸送をバルクライクとする。 【解決手段】 n型InP基板4上にn-InGaAsPガイド層6、歪MQW層8、グレーデッド引っ張り歪InGaAsP SCH層12、p-InPクラッド層14がある半導体光変調器で、圧縮歪InGaAsPウェル層9と引っ張り歪InGaAsPバリア層10を同じ組成のInGaAsPからIII 族組成を逆に変化させて、5%の圧縮歪と引っ張り歪とする。このようにして、ウェル層のヘビーホール準位とバリア層のライトホール準位を等しい高さにおくことにより、歪MQW層8内のホールキャリアの輸送をバルクライクとする。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 多重量子井戸構造とこれを有する光半導体装置と光変調器. JP1999145549A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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