Semiconductor laser diode having an asymmetric optical waveguide layer
文献类型：专利
| 作者 | RYU, HAN-YOUL; HA, KYOUNG-HO; LEE, SUNG-NAM |
| 发表日期 | 2007-01-04 |
| 专利号 | US20070002914A1 |
| 著作权人 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser diode having an asymmetric optical waveguide layer |
| 英文摘要 | An n-lower cladding layer, an n-optical waveguide layer, an active layer, a p-optical waveguide layer, and a p-upper cladding layer sequentially form on a substrate, wherein the thickness of the n-optical waveguide layer is greater than the thickness of the p-optical waveguide layer, form a semiconductor laser diode. |
| 公开日期 | 2007-01-04 |
| 申请日期 | 2006-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64816]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | RYU, HAN-YOUL,HA, KYOUNG-HO,LEE, SUNG-NAM. Semiconductor laser diode having an asymmetric optical waveguide layer. US20070002914A1. 2007-01-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。